在納米位移臺進行長距離移動時，各種誤差會隨著行程放大，影響位置精度。理解誤差來源有助于優(yōu)化控制方式與實驗設(shè)置。
納米位移臺長距離移動的誤差來源
傳感器線性度不足
電容、光柵或應(yīng)變片反饋在大范圍內(nèi)線性下降，導(dǎo)致位置反饋偏移。
壓電材料的遲滯與非線性
指令與實際位移不完全同步，長行程時誤差累積更明顯。
步進式結(jié)構(gòu)的累積步差
每一步的微小偏差在長程運動中不斷疊加，造成明顯位置誤差。
機械導(dǎo)軌誤差
導(dǎo)軌直線度不完美、摩擦變化或微間隙，會讓運動路徑產(chǎn)生偏移。
控制系統(tǒng)響應(yīng)不足
控制帶寬或 PID 參數(shù)不適合大位移，反饋補償滯后導(dǎo)致偏差。
溫度變化帶來的漂移
環(huán)境溫度影響壓電材料和傳感器零點，使長距離移動出現(xiàn)額外誤差。